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1、碳(tan)化(hua)硅(gui)的特性。與硅(gui)和砷(shen)化(hua)鎵GaAs為代表的傳統半導體材料(liao)相比,碳(tan)化(hua)硅(gui)C半導體在工(gong)作度(du)、抗(kang)輻射、耐(nai)高擊穿電壓性能等方(fang)面具有很大優(you)勢。碳(tan)化(hua)硅(gui)C作為目前。

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2013年8月16日-天富(fu)熱電(dian)(600509)旗下(xia)北京天科(ke)合達藍(lan)光(guang)半(ban)導體(ti)公(gong)司(si)近期招聘(pin)晶體(ti)技工,為碳化(hua)硅晶片進一(yi)步研發(fa)生(sheng)產鋪(pu)路(lu)。隨著下(xia)游LED行業回暖,公(gong)司(si)今年將加大(da)碳化(hua)硅晶片出貨量。

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雙重加熱法合成碳化硅晶片的研究_巖石礦物材料學_論文網

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2009年4月22日(ri)-北京(亞洲金屬)2009-4-22據悉,4月20日(ri),新疆(jiang)天(tian)科合達藍光半導體有(you)限公司(si)對其2英寸6H導電型(xing)碳化硅晶片報出150-250美元/片的(de)超低促銷價格,給國際。

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2012年4月9日-清(qing)一(yi)(yi)色(se)的(de)海外留學人員組成的(de)研(yan)發團隊和銷售團隊,歷(li)時一(yi)(yi)年,量產(chan)了中(zhong)國(guo)首(shou)批(pi)3英寸(cun)和4英寸(cun)碳化硅(SiC)半(ban)導體(ti)外延晶(jing)片,填補了國(guo)內該領域(yu)的(de)空白。近日,位于火炬。

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