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碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

陶(tao)瓷材料等離子發射光譜法微量雜(za)質元素測定微電子工業發動機雜(za)質分析(xi)高溫技術聚變裝置微量元素。

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如碲化(hua)鉛(PbTe)、砷化(hua)銦(InAs)、硫化(hua)鉛(PbS)、碳化(hua)硅(gui)(SiC)等。與金屬材(cai)料不(bu)同,半導體(ti)中雜質含量和外界(jie)條件(jian)的(de)改(gai)變(bian)(如溫度變(bian)化(hua)、受光照射等),都(dou)會(hui)使(shi)半導體(ti)的(de)。

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怎(zen)樣去除碳(tan)化硅(gui)制品(pin)中的雜(za)質沒(mei)(mei)有(you)(you)任何一件(jian)事物(wu)是沒(mei)(mei)有(you)(you)雜(za)質的,即便是很(hen)多(duo)化學原料或者(zhe)經過(guo)多(duo)重步驟產生的高科技產品(pin),所以(yi),目前市(shi)場上(shang)出現的碳(tan)化硅(gui)產品(pin)也有(you)(you)很(hen)多(duo)雜(za)質。但(dan)是。

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本發明涉及(ji)一種應(ying)用X射線(xian)熒光(guang)光(guang)譜法(fa)檢測碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)雜質(zhi)含量(liang)的(de)(de)方(fang)法(fa),其步驟(zou)如下(xia):1、制(zhi)備測試樣(yang)片(pian);2、制(zhi)備標(biao)準樣(yang)片(pian):①提純碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)的(de)(de)制(zhi)樣(yang);②碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)提純,制(zhi)備出(chu)純品碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui);③。

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現在(zai)的(de)原料主要(yao)成分是硅(gui)(gui)和碳化(hua)硅(gui)(gui)的(de)混合(he)物,里面含有(you)少量鐵(tie)雜質(zhi),怎樣除去(qu)鐵(tie),請各位賜教,謝謝。

應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國

2012年(nian)12月(yue)28日-碳(tan)化硅(gui)晶體中的(de)(de)(de)雜(za)質是:鐵、鋁、鈣、鎂、硅(gui)等的(de)(de)(de)氧(yang)化物和碳(tan)化物,以及它們的(de)(de)(de)共熔物。這些雜(za)質在冶(ye)煉爐(lu)熱動力條件下(xia),溫度(du)在2100——2200℃時被蒸發(fa)排(pai)。

如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-

[24]β-碳化硅因其相較α-碳化硅擁有(you)更高的比表面積,所以可用于非均相催(cui)化劑(ji)的負載體(ti)。純的碳化硅是無色的,工(gong)業用碳化硅由于含有(you)鐵等雜質而(er)呈現棕(zong)色黑(hei)色晶體(ti)。

介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠

開始(shi)時間:結束時間:雜質碳(tan)加工工藝-催(cui)化(hua)劑,二氧(yang)化(hua)碳(tan),碳(tan)化(hua)硅,X射線,生產(chan)碳(tan)化(hua)硅版的出(chu)價(jia)/購(gou)買記錄Top一口價(jia):元(yuan)該物(wu)品已下架(jia)立即購(gou)買。

碳化硅-維基百科,自由的百科全書

導(dao)熱(re)率:碳化(hua)硅(gui)制(zhi)品的(de)(de)導(dao)熱(re)率非常(chang)(chang)非常(chang)(chang)高(gao),熱(re)膨脹參數小(xiao)巧,抗熱(re)震(zhen)性(xing)非常(chang)(chang)非常(chang)(chang)高(gao),是優質的(de)(de)耐火材料。3、電(dian)學屬性(xing)恒溫下工(gong)業碳化(hua)硅(gui)是一種半導(dao)體,屬雜質導(dao)電(dian)性(xing)。高(gao)純度。

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阿里巴(ba)巴(ba)供應綠(lv)色(se)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)雜(za)質少硅(gui)(gui)(gui)含(han)(han)量98.5河南SIC碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)生(sheng)產基地,研(yan)磨材料,這(zhe)里云集了眾多(duo)的供應商,采購商,制造商。這(zhe)是供應綠(lv)色(se)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)雜(za)質少硅(gui)(gui)(gui)含(han)(han)量98.5河南。

碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫

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舉(ju)報文檔(dang)(dang)介(jie)紹暫無描述文檔(dang)(dang)分類(lei)待分類(lei)文檔(dang)(dang)格式.pdf文檔(dang)(dang)標簽(qian)加熱(re)棒碳(tan)化(hua)硅石(shi)墨雜質數值溫度評論評論的時候,請遵紀守法并注意語言(yan)文明,多(duo)給文檔(dang)(dang)。

碳化硅的特性和根本機能

碳化硅(gui)中雜(za)質(zhi)的(de)(de)形態-碳化硅(gui)中雜(za)質(zhi)的(de)(de)形態碳化硅(gui)的(de)(de)研發(fa)成功并很好(hao)的(de)(de)利用是市場發(fa)展過(guo)程中的(de)(de)一大進步點,特別是對(dui)于1893年艾奇遜的(de)(de)發(fa)明為引子,由(you)此推出(chu)的(de)(de)國內由(you)趙廣和。

供應綠色碳化硅雜質少硅含量98.5河南SIC碳化硅生產基地

2011年6月14日-碳化(hua)硅(gui)在(zai)現代(dai)工業生(sheng)產中(zhong)的(de)(de)應(ying)(ying)用范圍(wei)比較(jiao)廣泛,比較(jiao)為(wei)人(ren)們所了解的(de)(de)是(shi)應(ying)(ying)用于磨料、磨具領域。但是(shi)隨著科學(xue)技術(shu)的(de)(de)進(jin)步,人(ren)們對(dui)碳化(hua)硅(gui)的(de)(de)認識也逐漸深入(ru),由此開發(fa)。

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碳(tan)化硅(gui)(gui)(SiC)是用石英砂、石油焦(jiao)(jiao)(或煤(mei)焦(jiao)(jiao))、木屑為原料通過電阻(zu)爐高溫冶(ye)煉而成。碳(tan)化硅(gui)(gui)在(zai)大自然(ran)也(ye)存在(zai)罕見的礦物,莫桑石。碳(tan)化硅(gui)(gui)又稱<a。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴

碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui);物理(li)性(xing)質(zhi)性(xing)狀:綠(lv)色藍黑色結(jie)晶性(xing)粉末.含雜(za)質(zhi)的碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)為綠(lv)色,固性(xing)狀:綠(lv)色藍黑色結(jie)晶性(xing)粉末.含雜(za)質(zhi)的碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)為綠(lv)色,固溶有炭(tan)和金屬氧(yang)化(hua)(hua)(hua)物雜(za)質(zhi)呈黑色。密。

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2013年(nian)4月(yue)24日-碳化硅俗稱金剛(gang)石,又稱碳硅石,主要(yao)用作耐(nai)磨材(cai)(cai)料,耐(nai)火材(cai)(cai)料,核反應堆(dui)材(cai)(cai)料及(ji)制造(zao)電(dian)阻發(fa)熱硅碳棒(管),半導體元件,C二級管,晶體管,電(dian)器元件,火箭(jian)噴(pen)管等。

加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅

產業領域:新能源光伏需求類型:技術(shu)服(fu)務需求編(bian)號:189-07制粉是碳化(hua)硅微粉生產中的重(zhong)要(yao)工序,但(dan)由于碳化(hua)硅的硬度較(jiao)高,其莫氏(shi)(shi)硬度為9.5級(ji),在莫氏(shi)(shi)硬度標(biao)準中僅低(di)于金剛石(shi)。

碳化硅-搜搜百科

本文采用(yong)(yong)ICP-MS法對高純碳化硅粉表面(mian)的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量雜質(zhi)進行測定(ding),用(yong)(yong)氫氟酸溶液浸提試樣表面(mian)雜質(zhi),用(yong)(yong)釔(yi)做(zuo)內(nei)標(biao)補償。

碳化硅|化合物-查字典

一種無(wu)TiC雜質(zhi)相的(de)碳(tan)化硅(gui)鈦陶(tao)瓷粉(fen)體的(de)合(he)成方(fang)法(fa)(fa),其特(te)征在(zai)于(yu):(1)以(yi)Ti粉(fen)、Si粉(fen)和TiC本(ben)發(fa)明公開了一種低成本(ben)無(wu)TiC雜質(zhi)相的(de)碳(tan)化硅(gui)鈦陶(tao)瓷粉(fen)體的(de)常壓合(he)成方(fang)法(fa)(fa),。

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臨(lin)沂市金蒙碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅有限公(gong)司(si)是一家(jia)擁(yong)有國內先(xian)進的碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅微(wei)(wei)粉,黑(hei)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅,綠(lv)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅,綠(lv)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅微(wei)(wei)粉,黑(hei)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅微(wei)(wei)粉,碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅粒度砂,生(sheng)產線(xian)和工藝技術,服務熱線(xian):400-6291-618。

碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司

2008年5月9日-碳(tan)化硅電(dian)力(li)電(dian)子器件研發(fa)進展與存在問題(ti),1引言(yan)借助(zhu)于微電(dian)子技(ji)術的長足發(fa)展,以(yi)硅器件為基礎的電(dian)力(li)電(dian)子技(ji)術因(yin)大(da)功(gong)(gong)率(lv)場效應晶體(ti)管(功(gong)(gong)率(lv)MOS)和絕(jue)緣柵(zha)雙極晶體(ti)。

要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸

1、游(you)離硅。它一(yi)部分(fen)溶解(jie)于(yu)(yu)SiC晶(jing)(jing)體中(zhong),一(yi)部分(fen)與其雜質(如鐵、鋁、鈣(gai)等)形(xing)成合(he)金(jin)而粘附于(yu)(yu)晶(jing)(jing)體上或(huo)嵌(qian)在晶(jing)(jing)體中(zhong)。2、游(you)離二氧(yang)化硅。通常存在于(yu)(yu)晶(jing)(jing)體表面。大都是由于(yu)(yu)。

請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧

對SiC中基態施(shi)主能(neng)級分裂(lie)對雜(za)質(zhi)電離的(de)影響,與溫度、摻(chan)雜(za)濃(nong)度和雜(za)質(zhi)能(neng)級深度的(de)關系(xi)進行了(le)系(xi)統(tong)研究(jiu)。發現只(zhi)有(you)在(zai)高溫且摻(chan)雜(za)濃(nong)度低的(de)情況下,能(neng)級分裂(lie)的(de)影響很(hen)小可忽略不計。

(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法

氮化硅(gui)結(jie)合(he)碳(tan)化硅(gui)材料(liao)(liao)反應(ying)燒結(jie)時的雜質相(xiang)行為分析,郝小勇;-陶(tao)瓷(ci)工程(cheng)1998年第(di)03期(qi)在(zai)線閱讀、文章(zhang)下載。<正;l前言Si3N4結(jie)合(he)SIC材料(liao)(liao)的研究近年來在(zai)國內發展較(jiao)快,該。

ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace

分析(xi)(xi)了Si3N4結(jie)合Si3C材料(liao)反(fan)應燒結(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質(zhi)相(xiang)的反(fan)應行(xing)為。氮化硅(gui)結(jie)合碳化硅(gui)材料(liao)反(fan)應燒結(jie)時的雜質(zhi)相(xiang)行(xing)為分析(xi)(xi)前言:分析(xi)(xi)了Si3N4結(jie)合Si3C材料(liao)。

碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)

[圖文]目前(qian),國內使用的(de)切割(ge)液和碳化硅微粉在線切割(ge)過(guo)程中,砂(sha)漿中不(bu)可避免的(de)會混入硅粉、鐵、高(gao)聚物等雜(za)質(zhi),部分(fen)碳化硅微粉也會因(yin)切割(ge)作用而出(chu)現破(po)損,產(chan)生(sheng)的(de)廢砂(sha)漿很難繼續。

一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼

氮化(hua)硅結(jie)合(he)碳化(hua)硅材料反(fan)(fan)(fan)應燒結(jie)時(shi)的(de)雜(za)質(zhi)相行為分(fen)析(xi)-分(fen)析(xi)了Si3N4結(jie)合(he)Si3C材料反(fan)(fan)(fan)應燒結(jie)時(shi)Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等(deng)雜(za)質(zhi)相的(de)反(fan)(fan)(fan)應行為。

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碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題

淄博鑄泰碳(tan)(tan)素有限公司碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅簡介(jie):碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅英(ying)文名(ming)稱:siliconcarbide,俗稱金剛砂。純(chun)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅是無色透明的(de)晶體(ti)。工業(ye)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅因所含(han)雜(za)質(zhi)的(de)種類(lei)和含(han)量不同(tong),而呈淺黃、綠、藍。

工業生產的碳化硅砂除主成分SiC外,通常含有2%~5%的雜質。這些

SiC中基態施主能級分裂對雜質電離的影響-碳化硅;基態施主能級

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