MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(FBAR)研究
在固態裝配型(xing)諧(xie)振器(SMR)方面,論文采用上述模型(xing)分(fen)析(xi)了(le)四分(fen)之一(yi)波(bo)長布(bu)拉(la)格反(fan)射(she)柵對其(qi)諧(xie)振特性的影(ying)響(xiang),得(de)到了(le)SMR器件獲得(de)理想性能所需的少(shao)反(fan)射(she)柵對數;另外(wai),考慮到實(shi)際。
石英晶體諧振器行業技術文章_慧聰網
壓電層(ceng)的(de)典型(xing)厚(hou)度在幾個微米或壓力場看起來與(單晶的(de))石英(ying)模式的(de)石英(ying)這種類(lei)型(xing)的(de)BAW被稱為固態裝配諧(xie)振器(SMR)。魯棒性而言,,則可減(jian)少(shao)諧(xie)振器。
ZnO固態裝配型諧振器(SMR)的模擬分析-《中國聲學學會2007年青年
ZnO固態裝配(pei)型諧(xie)(xie)振器(SMR)的模擬分析湯亮郝震宏喬東海汪承(cheng)灝摘要:正(zheng)1引言近年來,薄膜(mo)體聲波諧(xie)(xie)振器(FBAR)由于(yu)其較(jiao)小(xiao)的體積以及可與IC電路(lu)進行單。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析_百度文庫
這樣形成(cheng)的諧振器是固態裝配(pei)諧振器(SMR)。在一個實施(shi)例中,襯底(di)12由硅(gui)(Si)制成(cheng),PZ層18由氮化鋁(AlN)制成(cheng)。或者,也可以(yi)使用其他的壓電(dian)材料來(lai)制作PZ層18。在一。
CN1845453A-使用填充凹進區的聲諧振器的性能增強-Google
基于(yu)CMOS工藝的(de)高性(xing)能射頻濾波(bo)器(qi):體聲波(bo)濾波(bo)器(qi)BAW第2頁(ye)/共6頁(ye)<上一(yi)頁(ye)下這種類型(xing)的(de)BAW被稱為固態裝(zhuang)配諧振(zhen)器(qi)(SMR)。魯(lu)棒性(xing)而言,SMR比膜(mo)結構的(de)BAW要好。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_中華文本庫
這種(zhong)類型(xing)的BAW被稱為固態裝配(pei)諧振器(SMR)。魯(lu)棒(bang)性而(er)言,SMR比膜結構的BAW要好(hao)很多。在(zai)劃片和裝配(pei)所需的各種(zhong)標準工(gong)序(xu)中,沒有機械損(sun)壞的風(feng)險。壓(ya)電(dian)層和電(dian)極(ji)層上(shang)。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器(BAW)
和電極做成膜(mo)結(jie)構或一并(bing)沉積到一個薄(bo)的支(zhi)撐膜(mo)上,形成空氣一固體交界面;還有一種方式是(shi)采用“聲波鏡”形成反(fan)射面來實現,這種結(jie)構被稱(cheng)為(wei)“固態裝配諧振器(SMR)。
薄膜體聲波濾波器的材料設計及應用-豆丁網
鋯鈦(tai)酸(suan)鉛溶膠凝膠諧(xie)振器建立微型(xing)體聲波諧(xie)振器機械結構的等(deng)效電路(lu)模型(xing),運用PSPICE軟件研(yan)究4湯亮;郝震(zhen)宏;喬東海(hai);汪(wang)承(cheng)灝;;ZnO固態裝配(pei)型(xing)諧(xie)振器(SMR)。
龍俞兆-技術總結-道客巴巴
[0003]壓電薄膜諧(xie)(xie)振器(qi)可(ke)以分(fen)類為FBAR(膜體(ti)聲諧(xie)(xie)振器(qi))型和SMR(固態(tai)裝配諧(xie)(xie)振器(qi))型。[0003]thepiezoelectricthinfilmresonatorcanbeclassifiedasFBAR。
PZT薄膜材料的生長與應用-《廈門大學》2009年碩士論文
上述(shu)聲(sheng)波器件(jian)的(de)示例為(wei)諸如FBAR(膜體聲(sheng)波諧振(zhen)器)和SMR(SolidlyMoutedResonator:固(gu)態裝配諧振(zhen)器)的(de)薄膜諧振(zhen)器。Examplesoftheacousticwavedevicesuchas。
CN101083460B-Filterhavingmultiplepiezoelectricthin-
聲諧振器(10;110;和210)包括少部分地補(bu)償(chang)通過電(dian)極壓電(dian)疊層(ceng)(18)引入(ru)的溫(wen)度感應效應的鐵磁補(bu)償(chang)器(20;120;和220)。該補(bu)償(chang)器具(ju)有正頻率溫(wen)度系數(shu),而疊層(ceng)具(ju)有負(fu)。
BAW_百度文庫
包含(han)這些壓(ya)電薄(bo)膜(mo)(mo)諧(xie)(xie)(xie)振(zhen)器的濾(lv)波(bo)器也(ye)受到關(guan)注。[0003]壓(ya)電薄(bo)膜(mo)(mo)諧(xie)(xie)(xie)振(zhen)器的例子包括FBAR(薄(bo)膜(mo)(mo)腔聲諧(xie)(xie)(xie)振(zhen)器,FilmBulkAcousticResonator)型和SMR(固態裝配諧(xie)(xie)(xie)振(zhen)器,Solidly。
CN101136620B-Acousticwavedevice,filterandduplexer
將上述壓(ya)電(dian)薄膜(mo)諧(xie)(xie)振器分為兩種類型,FBAR(薄膜(mo)腔聲(sheng)諧(xie)(xie)振器)和SMR(固態裝配諧(xie)(xie)振器)。FBAR包(bao)括(kuo)層疊在(zai)諸如硅或玻璃的(de)基板上的(de)上電(dian)極膜(mo)、壓(ya)電(dian)膜(mo)和下電(dian)極膜(mo)的(de)層疊結(jie)構(gou)。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析SimulationAnalysisof
包含這(zhe)些壓電(dian)薄(bo)膜(mo)諧振(zhen)器(qi)(qi)的(de)濾(lv)波(bo)器(qi)(qi)也(ye)受(shou)到關注。壓電(dian)薄(bo)膜(mo)諧振(zhen)器(qi)(qi)的(de)例子包括FBAR(薄(bo)膜(mo)腔(qiang)聲諧振(zhen)器(qi)(qi),FilmBulkAcousticResonator)型和SMR(固態(tai)裝(zhuang)配諧振(zhen)器(qi)(qi),SolidlyMounted。
CN1340915A-聲波諧振器及在溫度變化時運行其以保持諧振的
另外值(zhi)得(de)一(yi)提的(de)是,德國(guo)的(de)Infneon公司在2003年推(tui)出了(le)具有布拉(la)格反射層結(jie)構的(de)固貼式(又稱(cheng)固態裝配(pei)型)薄膜(mo)體(ti)聲(sheng)波諧振器(SMR-FBAR)[9-10].而(er)我國(guo)關于。
CN1862959B-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
0引(yin)言固態引(yin)信諧振器是電子安全系(xi)統的重要組成部分之一(yi),它(ta)能(neng)在后坐(zuo)加(jia)速度和旋轉離心力(li)的作用下(xia)向(xiang)前運動,使限位保險處(chu)于鎖(suo)定狀(zhuang)態,從而使引(yin)信處(chu)于待發狀(zhuang)態。但是,。
CN1677852A-諧振器濾波器以及諧振器的制造-Google
毫(hao)米波(bo)(bo)平(ping)面振蕩(dang)器(qi)基片集(ji)(ji)成波(bo)(bo)導相位噪聲雙端口壓控振蕩(dang)器(qi)注入鎖(suo)定(ding)諧波(bo)(bo)振蕩(dang)器(qi)毫(hao)米波(bo)(bo)平(ping)面振蕩(dang)器(qi)是毫(hao)米波(bo)(bo)平(ping)面集(ji)(ji)成系統ZnO固態裝配型諧振器(qi)(SMR)的模擬分析[。
CN1862959A-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
聲諧振器(10;110;和210)包括少部分地補償(chang)通過電極壓電疊層(18)引入的(de)溫度(du)感(gan)應(ying)效應(ying)的(de)鐵磁補償(chang)器(20;120;和220)。Theacousticresonator(10;110;and。
薄膜體聲波諧振器(FBAR)的結構制備工藝研究-會議論文-道客巴巴
關鍵詞:微波(bo)(bo)濾(lv)波(bo)(bo)器(qi)時(shi)域有限差分(fen)法階梯阻(zu)抗諧振器(qi)橢圓函數濾(lv)波(bo)(bo)器(qi)多層6湯亮;郝震(zhen)宏;喬東(dong)海;汪(wang)承灝(hao);;ZnO固態裝配型諧振器(qi)(SMR)的模擬分(fen)析[A];。
固貼式薄膜體聲波諧振器用材料體系研究進展-豆丁網
摘要(yao)固態微型(xing)諧(xie)振器的工作頻率(lv)高、功(gong)率(lv)容量大、損耗低、體(ti)積小,是目(mu)前有望第三種(zhong)為本研究采用反射層(ceng)聲學隔離固定結構(SolidlyMountedResonatorSMR),如圖l一。
MEMS固態引信諧振器的系統級設計與仿真-《科技廣場》2007年09期
在固態(tai)裝配型諧振(zhen)器(SMR)方面,論文采用上述模型分析了四分之一(yi)波長布拉格反(fan)射柵對其諧振(zhen)特性的(de)(de)影響,得到了SMR器件獲得理(li)想(xiang)性能所(suo)需的(de)(de)少反(fan)射柵對數;另外,考(kao)慮到實際(ji)。
復合雙壓電層FBAR的建模與仿真楊成韜1,李健雄1,許紹俊2,銳1,-
這樣形成(cheng)的諧振器是(shi)固態裝配諧振器(SMR)。Thethusformedassemblyoftheresonatoriidresonator(SMR).在一(yi)個實施例中,襯底12由硅(Si)制成(cheng),。
基于基片集成波導的高性能毫米波平面振蕩器研究與應用-《電子
大字報(bao)利用無線傳(chuan)感器(qi)(qi)網絡(luo)實(shi)現運動(dong)聲源的(de)定位與跟(gen)蹤錄取(qu),報(bao)告用相對運動(dong)幾何求解BOT問題ZnO固(gu)態裝配型(xing)諧(xie)振器(qi)(qi)(SMR)的(de)模擬(ni)分析PGC解調光纖傳(chuan)聲器(qi)(qi)技術的(de)討論一種單。
CN1229917C-Soundwaveresonator-Google
將(jiang)上述壓(ya)電(dian)薄膜諧(xie)(xie)振器分為兩(liang)種類(lei)型,FBAR(薄膜腔(qiang)聲諧(xie)(xie)振器)和SMR(固(gu)態裝配諧(xie)(xie)振器)。FBAR包括(kuo)層(ceng)疊在諸如(ru)硅或玻璃(li)的(de)(de)基板上的(de)(de)上電(dian)極(ji)膜、壓(ya)電(dian)膜和下電(dian)極(ji)膜的(de)(de)層(ceng)疊。
無線通信系統中的微波濾波器性能及小型化研究-《上海大學》2004
2007年(nian)10月31日-壓電薄(bo)膜諧(xie)(xie)振器可分(fen)成FBAR(薄(bo)膜塊體(ti)聲波諧(xie)(xie)振器)型(xing)和(he)SMR(固態裝配諧(xie)(xie)振器,solidlymountedresonator)型(xing)。Thepiezoelectricthinfilmresonatormay。
基于MoTi布拉格反射層的固態微型諧振器與濾波器的研究-豆丁網
該傳感(gan)器是混合型諧振(zhen)(zhen)無源諧振(zhen)(zhen)結構(gou),其可以在(zai)制造過程中被集成于車(che)輛地面(mian)連接裝置(zhi)HBAR“高模薄膜體(ti)聲波諧振(zhen)(zhen)器”),或者帶有(you)布拉格反(fan)射鏡(SMR“固態裝配型諧振(zhen)(zhen)。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_百度文庫
該傳感器是混合(he)型諧(xie)振無(wu)源諧(xie)振結構,其可以在(zai)制(zhi)造(zao)過(guo)程中被(bei)集成于車輛地面連接裝(zhuang)(zhuang)置(zhi)HBAR"高模薄膜體聲波(bo)諧(xie)振器"),或者(zhe)帶有布拉格反射鏡(SMR"固態裝(zhuang)(zhuang)配型諧(xie)振器"。
院機構知識庫網格(CASIRGRID):MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(
2010年6月16日-[0020]壓電薄膜諧(xie)(xie)振器包括FBAR型(xing)和SMR型(xing),其中FBAR是薄膜體聲波諧(xie)(xie)振器(Film-BulkAcousticResonator)的縮寫,以及(ji)SMR是固(gu)態安裝諧(xie)(xie)振器(SolidlyMounted。
CN1845453A-Acousticresonatorperformanceenhancement
2005年10月5日-將上(shang)述壓電薄膜(mo)諧振(zhen)器(qi)分(fen)為兩種類型,FBAR(薄膜(mo)腔(qiang)聲諧振(zhen)器(qi))和SMR(固態裝配諧振(zhen)器(qi))。Theabovepiezoelectricthinfilmresonatorisdividedinto。
薄膜諧振器技術概述_百度文庫
[0003]壓電薄膜(mo)諧振(zhen)器可分成(cheng)FBAR(薄膜(mo)塊體聲波諧振(zhen)器)型(xing)和SMR(固態裝(zhuang)配諧振(zhen)器,solidlymountedresonator)型(xing)。FBAR具有(you)由(you)上部電極(ji)、壓電膜(mo)和下部電極(ji)構成(cheng)的。