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一種用四(si)氯化(hua)硅(gui)與(yu)液氨在有機(ji)溶劑(ji)界面反(fan)應生成硅(gui)亞胺(an),然后將其(qi)加熱分解制得氮化(hua)硅(gui)粉末的方法及(ji)設備(bei),其(qi)特。
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氮化硅的生產工藝|氮化硅制備加工技術
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101136305納米級(ji)氮(dan)化硅(gui)復合(he)材料發熱(re)體及制作工藝[摘(zhai)要(yao)]本發明(ming)是對氮(dan)化硅(gui)發熱(re)$902158760低(di)(di)壓(ya)(ya)燃燒合(he)成(cheng)氮(dan)化硅(gui)或氮(dan)化硅(gui)鐵的方法(fa)及設備[摘(zhai)要(yao)]低(di)(di)壓(ya)(ya)燃燒合(he)成(cheng)。
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[圖文]李(li)維(wei)菊(個人商(shang)戶(hu))供應氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)及其制品生(sheng)產(chan)工(gong)藝技(ji)(ji)(ji)術資(zi)(zi)料大(da)、氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)及其制品生(sheng)產(chan)工(gong)藝技(ji)(ji)(ji)術資(zi)(zi)料大(da)。氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)及其制品生(sheng)產(chan)工(gong)藝技(ji)(ji)(ji)術資(zi)(zi)料大(da)全1一種形(xing)成雙應力層氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)薄膜的方法。
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22.氮(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)發(fa)熱體及其制(zhi)(zhi)造(zao)方法(fa)23.氮(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)發(fa)熱裝(zhuang)置(zhi)24.氮(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)粉.其燒(shao)結(jie)體.基板(ban).及由此的(de)電路板(ban)和(he)熱電元件模塊25.氮(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)粉末(mo)的(de)制(zhi)(zhi)造(zao)方法(fa)26.氮(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)粉末(mo)的(de)制(zhi)(zhi)造(zao)方法(fa)及設備。
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25氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)粉(fen)末的(de)制造方(fang)法(fa)(fa)26氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)粉(fen)末的(de)制造方(fang)法(fa)(fa)及設備27氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)粉(fen)體α相轉相裝置28氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)工程陶(tao)瓷燒結新(xin)工藝29氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)和碳化(hua)硅(gui)一維(wei)納米結構及其制備方(fang)法(fa)(fa)。
一種制造高純度超細氮化硅的方法及設備
一(yi)種(zhong)制(zhi)造高(gao)純度超細氮(dan)化硅(gui)(gui)的(de)(de)方法及設備,其(qi)特征是(shi)硅(gui)(gui)烷和(he)氨氣(qi)的(de)(de)氣(qi)相化學反應是(shi)在立(li)式雙溫區流態反應器(qi)3中進行(xing),該反應器(qi)流態床(chuang)底(di)部設有不銹(xiu)鋼制(zhi)造的(de)(de)分配(pei)板31,載體。
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[圖文]25、氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)粉末的制造(zao)方法26、氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)粉末的制造(zao)方法及設(she)備27、氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)粉體α相轉相裝(zhuang)置28、氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)工(gong)程陶瓷(ci)燒結新(xin)工(gong)藝(yi)29、氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)和碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)一維納米結構及其制備方法30。
氮化硅的生產方法-《無機鹽工業》1987年03期
氮化(hua)(hua)硅的生產方法劉佩珠摘要(yao):正本介紹的Si_3N_4的生產方法如下(xia):采(cai)用(yong)固體二硫化(hua)(hua)硅與氣態氨反應(ying),溫度控制在800～1450℃,回(hui)收無定形Si_3N_4。。
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在亞微米(mi)的(de)(de)生產(chan)制造技術中,氮化硅工(gong)藝(yi)的(de)(de)particle已經成為產(chan)品良率的(de)(de)主要(yao)影響因素。本文主要(yao)針(zhen)對立式LPCVD氮。
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2012年(nian)9月19日-2CN02100873.6一種制(zhi)造電(dian)池的燒結(jie)(jie)鎘負極(ji)的方(fang)法及其(qi)制(zhi)造產品3CN70CN86100384氮化硅工(gong)程(cheng)陶瓷(ci)燒結(jie)(jie)新工(gong)藝71CN86106840熱窯燒結(jie)(jie)設備與。
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[圖文]摘要(yao):摘要(yao):研究了等(deng)離子(zi)增(zeng)強化學氣相淀積(PECVD)工藝中射頻(pin)條件(功率和頻(pin)率)對氮化硅薄膜應力的(de)(de)影(ying)響。對于不同射頻(pin)條件下薄膜的(de)(de)測試結(jie)果表明:低頻(pin)(LF)時氮化硅。
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氮(dan)化(hua)硅收(shou)(shou)集平臺,涉及(ji)多晶硅生(sheng)(sheng)產(chan)設備領域,尤(you)其是涉及(ji)多晶硅生(sheng)(sheng)產(chan)中氮(dan)化(hua)硅的(de)收(shou)(shou)集臺,一種移除(chu)氮(dan)化(hua)硅層(ceng)的(de)方法(fa),此方法(fa)系首(shou)先提供一晶圓,其中晶圓上已形成有一氮(dan)化(hua)硅層(ceng)。
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7-BG520氮化硅只讀存儲器的(de)結構與制造方法(fa)(fa)8-BG520低壓燃(ran)燒合成(cheng)氮化硅或(huo)氮化硅鐵的(de)方法(fa)(fa)及(ji)設備9-BG520利用(yong)原子層(ceng)沉積法(fa)(fa)形成(cheng)氮化硅間隙壁的(de)方法(fa)(fa)10-BG520密封。
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[圖文]本文主要針對(dui)立式LPCVD氮化(hua)硅爐管的(de)氮化(hua)硅制(zhi)造工藝中所(suo)遇到particle問題進行(xing)研究。通(tong)過大量的(de)對(dui)比性實驗(yan)進行(xing)排查與分析(xi),并利(li)用各種先進的(de)實驗(yan)的(de)設(she)備和器材找到產(chan)生。
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第四(si)節主要生(sheng)產設備情況介紹(shao)第四(si)章2011-2013年中(zhong)國碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)結合(he)(he)氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)磚市場圖表:碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)結合(he)(he)氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)磚理化(hua)性質一覽(lan)圖圖表:碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)結合(he)(he)氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)磚生(sheng)產工藝流程(cheng)。
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河南(nan)科技大學畢業(ye)設(she)計(論(lun)文)I噴涂工藝對(dui)氮(dan)化硅涂層品質的影響摘要鑄造(zao)因(yin)此容易在制造(zao)工藝中受石(shi)英、石(shi)墨(mo)、設(she)備(bei)以(yi)及管道等(deng)的沾污。坩(gan)堝的使用一方面提高(gao)。
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通過(guo)幾(ji)年不斷技術創新,工藝(yi)優化,積累(lei)了豐富的氮(dan)化合金(jin)生產經驗(yan)。公司擁有三個生產車間,十幾(ji)臺國內先進的氮(dan)化物產品生產設備,建立了完(wan)發(fa)聯系信(xin)合肥開爾納米。
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本廠以“業潤社(she)會”為經(jing)營(ying)理念,憑著國內的生(sheng)產設備,全(quan)體員工努力(li)進(jin)取,銳意采用先進(jin)的氣(qi)壓、熱等靜壓燒結工藝,批量生(sheng)產氮化硅(Si3N4)、氧化鋯(gao)(ZrO2)。
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技術難題:1.生(sheng)產(chan)氮化硅錳(meng)(meng)從(cong)技術上(shang)采(cai)用普(pu)通硅錳(meng)(meng)和普(pu)通硅鐵作為(wei)原料,工(gong)藝上(shang)采(cai)用物料5.所用的臥式推(tui)板窯等加(jia)熱(re)設備利用電感(gan)應加(jia)熱(re)方式,在微正壓下工(gong)作,省(sheng)去了真空。
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公司簡介北京金海虹(hong)氮化(hua)硅有(you)限(xian)公司是高新技術企業(ye),開發、生(sheng)(sheng)產高技術氮化(hua)硅結合先進的(de)(de)生(sheng)(sheng)產設備,獨特的(de)(de)生(sheng)(sheng)產工藝,完(wan)善(shan)的(de)(de)檢測(ce)手段(duan),科學(xue)的(de)(de)管理體系,2005年5月(yue)獲得(de)。
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你可能要(yao)查找(zhao):陶瓷生產(chan)加工機(ji)械機(ji)械及行業(ye)設備詳細信(xin)息產(chan)品(pin)(pin)規格:產(chan)品(pin)(pin)數量用這種現代(dai)先進工藝制成的特種陶瓷產(chan)品(pin)(pin)具有(you)密度高(gao)且均勻,尺寸精度高(gao)等優點。氮化(hua)硅。
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北(bei)京(jing)金(jin)海虹(hong)氮化(hua)硅有限公司(si)簡(jian)介北(bei)京(jing)金(jin)海虹(hong)氮化(hua)硅有限公司(si)自主研發(fa)、生產高科技材料‘氮化(hua)硅結合(he)碳化(hua)硅制(zhi)品’,以獨特的制(zhi)造工藝于國內(nei)外同行(xing)業水平,為有色金(jin)屬行(xing)業。
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高純(chun)氮化硅粉體(用(yong)于晶(jing)硅生產(chan)坩堝噴涂粉末)使(shi)用(yong)方法發布日期:2011-11-01分(fen)離設備(bei)物(wu)性測(ce)試儀(yi)器(qi)(qi)生命科學儀(yi)器(qi)(qi)實(shi)驗箱(xiang)體/安全(quan)箱(xiang)水(shui)(shui)質、水(shui)(shui)分(fen)檢測(ce)。
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制作燒結鋁礬土粉(fen)的設備(bei)《礬土技術分析(xi)鋁礬土,均勻度,氮化硅,反(fan)應催化劑(ji),剛玉陶瓷(ci),》43-BG192114一種變截面(mian)(mian)隧道(dao)窯(yao)煅燒高鋁礬土的方法44-BG192114礬土面(mian)(mian)礦脫水。
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,經過多年的研(yan)制、創新,研(yan)發(fa)出(chu)全新的陶(tao)瓷配方以及一體化高(gao)(gao)(gao)純(chun)氮化硅(gui)陶(tao)瓷生產工藝。高(gao)(gao)(gao)純(chun)氮化硅(gui)陶(tao)瓷熱(re)(re)面發(fa)熱(re)(re)體燃(ran)氣(qi)設備(bei)用熱(re)(re)面發(fa)熱(re)(re)體高(gao)(gao)(gao)純(chun)氮化硅(gui)陶(tao)瓷電熱(re)(re)塞柴油。
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并提出了(le)對(dui)比分析(xi)的方法,在通過(guo)專業設備檢測的基礎上對(dui)成品球(qiu)球(qiu)度、表(biao)面粗(cu)糙(cao)度研(yan)究(jiu)結果表(biao)明,氮化硅陶瓷球(qiu)能夠批量生產且球(qiu)度達(da)到0.062μm以下,表(biao)面粗(cu)糙(cao)度達(da)到。
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反應燒結工(gong)藝生產的氮化硅(gui)使(shi)用(yong)壽(shou)命(ming)很(hen)短,材料(liao)存在很(hen)多氣孔,長期鋁液會滲(shen)入;抗(kang)熱震(zhen)用(yong)于(yu)冶金、化工(gong)、紡織(zhi)、印(yin)刷、包(bao)裝、食品機械、電(dian)爐設備、電(dian)力容器、變壓器等。
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種(zhong)更可靠的(de)半導(dao)體裝置和(he)顯(xian)示裝置的(de)高(gao)產量制(zhi)造技術且(qie)未使(shi)用于制(zhi)造的(de)設備和(he)方法作(zuo)為在有(you)機(ji)化(hua)合物中所含的(de)無(wu)機(ji)材料,可以使(shi)用氧(yang)化(hua)硅(gui)、氮化(hua)硅(gui)、氧(yang)氮化(hua)硅(gui)、氮。
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經(jing)營模式(shi):生產廠家(jia)主營產品:氮化金(jin)屬粉(fen)末特(te)種合金(jin)焊(han)條粉(fen)劑合金(jin)粉(fen)工商公司運用自己的科研成果,采用先進(jin)(jin)的設備和工藝(yi)技術進(jin)(jin)行(xing)各類高純硅精(jing)細化加(jia)。