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[SY25136-0044-0001]高(gao)四方(fang)相(xiang)氧(yang)化鋯-氧(yang)化鋁復合粉(fen)料及其制備方(fang)法(fa)<br/;[摘鹽雜質含量控制在10ppm,然而50-150℃400nm的亞微米(mi)及納米(mi)級氧(yang)化鋁粉(fen)體.該。

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[3-BG63515]噴霧造粒(li)(li)制備(bei)亞微米級碳化硅(gui)微粉的方法[技(ji)術摘要]本(ben)發明公開了一種(zhong)噴霧造粒(li)(li)制備(bei)亞微米級碳化硅(gui)微粉的方法,1.將粒(li)(li)度為10-150μ的碳化硅(gui)粉與水混(hun)合攪拌。

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